Hlavnými aktivitami oddelenia je rast a charakterizácia tenkých vrstiev a heteroštruktúr na báze oxidov.

Na prípravu tenkých vrstiev je využívaná technika nanášania z pár organokovových zlúčenín s využitím kvapalného zdroja (liquid source delivery metal organic chemical vapour deposition, MOCVD) a štandardná technika s využitím tepelného odparovania práškových prekurzorov (thermal evaporation MOCVD).

V súčastnoti sa oddelenie venuje až piatim projektom pod záštitou VEGA, APPV či EU: Normálne zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN pre efektívne prevodníky výkonu - HiPoSwitch, Štruktúry kov-oxid-kov pre nanorozmerné pamäťové bunky na báze odporového prepínania, Vývoj novej generácie III-N tranzistorov s vysokou pohybivosťou elektónov, Tenké vrstvy oxidov a ich uplatnenie v pokročilých elektronických súčiastkach, Monolitická integrácia ochudobňovacích a obohacovacích InAlN/GaN HFET.

V prípade záujmu o spoluprácu, kontaktujte Kanceláriu pre transfer technológií, poznatkov a ochranu duševného vlastníctva Slovenskej akadémie vied.