Výskumné aktivity Oddelenia optoelektroniky sú zamerané na epitaxný rast, charakterizáciu a využitie polovodičových heteroštruktúr pripravených na základe III-V polovodičov.

Hlavné úsilie je sústredené na heteroštruktúry InP/InGaAs, GaAs/AlGaAs, GaAs/InGaP, GaP/InGaP a AlGaN/GaN materiálových systémov. V nedávnej minulosti oddelenie otvorilo nový výskumný smer zameraný na rast GaP nanodrôtov pre aplikácie vo fotovoltaike. Skúma vytváranie tenkej obalovej ZnO vrstvy na povrchu GaP nanodrôtov s cieľom rozšíriť oblasť spektrálnej citlivosti hlbšie do UV oblasti.

Oddelenie sa v súčastnosti venuje štyrom projektom pod záštitou APVV, ASFEU, EU a VEGA - Príprava nanodrôtov pre fotovoltaické aplikácie Výskum prípravy moderného polovodičového materiálu a substrátov VGF GaP o priemere 100 mm pre potreby konverzie CO2 na užitočné chemikálie, Zelená energia pre spoločnosť a Technológia hradiel s izolujúcou vrstvou pre kvalitné, vyskoúčinné III-As a III-N tranzistory.

V prípade záujmu o spoluprácu, kontaktujte Kanceláriu pre transfer technológií, poznatkov a ochranu duševného vlastníctva Slovenskej akadémie vied.