Výskumné aktivity oddelenia zahŕňajú vývoj technológie polovodičových mikro senzorov s prednostným zameraním na detektory ionizujúceho žiarenia (rtg, gama, alfa a neutróny) a ich transfer do aplikácií.

Výskum má vo všeobecnosti interdisciplinárny charakter, ktorý zahŕňa oblasť diagnostiky polovodičových materiálov a štruktúr prednostne zameranú na GaAs, InP a SiC. Vzhľadom na problematiku detektorov žiarenia sa pozornosť sústreďuje aj na súvisiace fyzikálne procesy radiačného poškodenia následkom interakcie senzorov s ionizujúcim žiarením. V technologickej oblasti sa hlavná pozornosť sústreďuje na efektívne využitie technologickej báze ústavu na detašovanom pracovisku v Piešťanoch. V aplikačnej oblasti sa oddelenie sústreďuje na vývoj pixelových senzorov rtg žiarenia pre digitálnu rádiografiu a vývojom kryštálovej optiky umožňujúcej rozšírenie zobrazovacích schopností senzorov (zlepšenie priestorového rozlíšenia, zobrazovanie v absorpčnom alebo fázovom kontraste).

Výskumné aktivity oddelenia sú realizované v rámci domácich (VEGA, APVV) i zahraničných resp. medzinárodných výskumných programov (COST, IAEA). Súčastné projekty sú: Kryštálové prvky rtg optiky pre kompresiu a expanziu zväzku, Nové polovodičové detektory neutrónov, Výskumno-vývojové centrum pre pokročilé rtg technológie.

V prípade záujmu o spoluprácu, kontaktujte Kanceláriu pre transfer technológií, poznatkov a ochranu duševného vlastníctva Slovenskej akadémie vied.